Als zweiter Durchbruch ({EnS|secondary breakdown}) wird eine besondere Form der Überlastung eines Bipolartransistors durch zu hohe Spannung (Sperrspannung über der Kollektor-Emitter-Strecke) bezeichnet. == Erhöhung der Sperrspannung durch negative Basisspannung == Bauartbedingt besitzt jeder Bipolartransistor eine bestimmte, maximal zulässige ...